三星电子4nm HBM4芯片初期良率达40%

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4月18日消息，三星电子在4nm制程的HBM4内存逻辑芯片初步测试生产中取得了40%的良率，这一成绩远超行业通常的10%起点水平，并且优于此前同制程产品的不足20%的表现。 HBM4逻辑芯片被称为“内存堆栈中的大脑”，负责控制多层DRAM Die的操作，其成功试产标志着三星在高端内存技术领域的突破。 三星在HBM3时期由于技术误判和研发进度落后，导致其在高带宽内存（HBM）市场中处于不利地位。SK海力士凭借其在HBM领域的先发优势，占据了超过70%的市场份额，而三星的市场份额则大幅下降。此外，三星还失去了全球DRAM市场的领导地位，SK海力士在2025年第一季度以36%的市场份额超越三星的34%，成为全球DRAM市场的领导者。 面对这一局面，三星在HBM4的研发中采取了激进的技术策略。三星计划在HBM4中引入1c nm DRAM内存芯片和4nm逻辑芯片，即通过采用自家先进的4nm ………………………………