三星二代3纳米良率20%

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点击这里 👇 关注我，记得标星哦～ 据韩媒报道，三星电子的第二代3纳米制程良率仍欠佳，而这项制程今年稍晚会用来生产即将内建于Galaxy S25旗舰智能手机的Exynos 2500移动处理器。 NotebookCheck网站20日报道，新思科技（Synopsys）5月2日发布新闻稿 宣布 ，三星采用最新3纳米GAA制程的旗舰行动系统单晶片（SoC），已成功完成设计定案（tape out），引起市场瞩目。人们普遍相信，这款SoC应是次世代Exynos 2500。 不过，根据韩媒DealSite及社群平台X用户@Revegnus1的 说法 ，三星的第二代3纳米制程良率仅有20%。换言之，硅晶圆上每10颗芯片就有8颗有缺陷。 目前不清楚这篇报道指的是三星的3GAP制程、抑或是原始的3GAA。相比之下，台积电的N3B制程良率则为接近55%，而次世代N3E制程的良率仍是未知。 @Revegnus1于5月14日爆料 指出 ，Google从2025年释出的Pixel 10智能手机开始 ………………………………